| 型号： | PHT8N06LT,135 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| PHT8N06LT,135 PDF |  |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SC-73 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 568-7369-2 934054610135 PHT8N06LT /T3 PHT8N06LT /T3-ND PHT8N06LT,135-ND |